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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
62
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
28
读取速度,GB/s
3,556.6
19.6
写入速度,GB/s
1,843.6
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3804
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB RAM的比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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