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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
62
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
26
读取速度,GB/s
3,556.6
13.6
写入速度,GB/s
1,843.6
10.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
2406
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
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