RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
62
左右 -27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
49
读取速度,GB/s
3,556.6
17.1
写入速度,GB/s
1,843.6
10.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
2668
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link