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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Kingston KM0VW4-MID 8GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Kingston KM0VW4-MID 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KM0VW4-MID 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
62
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
38
读取速度,GB/s
3,556.6
14.7
写入速度,GB/s
1,843.6
10.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
2493
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
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