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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
62
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
39
读取速度,GB/s
3,556.6
15.1
写入速度,GB/s
1,843.6
12.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3000
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
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