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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
16.7
13.0
写入速度,GB/s
11.8
9.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
2586
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB RAM的比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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