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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.0
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
16.7
14.5
写入速度,GB/s
11.8
13.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3192
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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