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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
16.7
18.2
写入速度,GB/s
11.8
14.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3389
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
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