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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.3
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
16.7
15.5
写入速度,GB/s
11.8
13.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3131
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
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