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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.1
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
16.7
18.1
写入速度,GB/s
11.8
13.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3299
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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