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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
20
读取速度,GB/s
16.7
19.7
写入速度,GB/s
11.8
15.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3473
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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