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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
16.7
15.3
写入速度,GB/s
11.8
11.5
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
2324
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT8GX3M2A2000C9 4GB
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