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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Kingston KCDT82-MIE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KCDT82-MIE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
16.7
17.0
写入速度,GB/s
11.8
12.5
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
2302
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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