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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

总分
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

差异 规格 评论

差异

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 27
    左右 -23% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 16.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.5 left arrow 11.8
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 13.5
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2756 left arrow 3201

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