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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
46
读取速度,GB/s
16.7
11.0
写入速度,GB/s
11.8
8.7
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
2481
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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