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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
总分
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
65
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,592.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
43
读取速度,GB/s
3,580.8
11.3
写入速度,GB/s
1,592.0
9.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
572
2098
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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