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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
总分
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,592.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
3,580.8
17.3
写入速度,GB/s
1,592.0
12.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
572
3030
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kllisre 0000 8GB
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