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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
总分
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
65
左右 -76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,592.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
37
读取速度,GB/s
3,580.8
14.7
写入速度,GB/s
1,592.0
9.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
572
2438
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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