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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
10.1
18.4
写入速度,GB/s
6.2
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
3723
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM的比较
CompuStocx (CSX) 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
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