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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
10.1
14.6
写入速度,GB/s
6.2
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2915
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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