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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 54% 更低的延时
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
59
读取速度,GB/s
10.1
20.1
写入速度,GB/s
6.2
10.6
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2382
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
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