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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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需要考虑的原因
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
10.1
15.6
写入速度,GB/s
6.2
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2783
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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