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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
10.1
15.4
写入速度,GB/s
6.2
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2763
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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