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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
10.1
15.4
写入速度,GB/s
6.2
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2763
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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