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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
比较
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
总分
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
总分
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
61
左右 -91% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,670.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
32
读取速度,GB/s
3,529.3
15.0
写入速度,GB/s
1,670.4
9.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
517
2524
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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