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Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
66
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,167.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
33
读取速度,GB/s
2,885.7
15.3
写入速度,GB/s
1,167.9
11.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
284
2697
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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