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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
比较
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
总分
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,892.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
6,181.5
15.4
写入速度,GB/s
1,892.9
10.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
851
2815
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB RAM的比较
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Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
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