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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
56
左右 -93% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
8800
左右 1.93 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
29
读取速度,GB/s
4,878.3
18.4
写入速度,GB/s
2,475.5
15.3
内存带宽,mbps
8800
17000
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
3583
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
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