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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
56
左右 -2% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
8800
左右 1.93 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
55
读取速度,GB/s
4,878.3
12.3
写入速度,GB/s
2,475.5
14.4
内存带宽,mbps
8800
17000
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
2894
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
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Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
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