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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
60
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.8
2,475.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8800
左右 1.93 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
60
读取速度,GB/s
4,878.3
17.3
写入速度,GB/s
2,475.5
8.8
内存带宽,mbps
8800
17000
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
2129
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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