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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
56
左右 -56% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
8800
左右 2.91 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
36
读取速度,GB/s
4,878.3
19.4
写入速度,GB/s
2,475.5
15.5
内存带宽,mbps
8800
25600
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
3526
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
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