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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
56
左右 -180% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
8800
左右 2.18 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
20
读取速度,GB/s
4,878.3
19.9
写入速度,GB/s
2,475.5
14.2
内存带宽,mbps
8800
19200
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
3152
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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