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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.0
18.3
写入速度,GB/s
8.0
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
3330
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
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