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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
45
读取速度,GB/s
13.0
14.9
写入速度,GB/s
8.0
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
3177
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
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Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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