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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.0
16.8
写入速度,GB/s
8.0
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2834
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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