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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
43
读取速度,GB/s
13.0
16.7
写入速度,GB/s
8.0
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2430
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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