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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
66
左右 59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
66
读取速度,GB/s
13.0
12.0
写入速度,GB/s
8.0
7.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
1909
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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