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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.0
14.2
写入速度,GB/s
8.0
10.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2984
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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