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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
13.0
15.9
写入速度,GB/s
8.0
12.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2907
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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