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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
24.1
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.0
24.1
写入速度,GB/s
8.0
16.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
4001
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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