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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.0
17.3
写入速度,GB/s
8.0
10.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2968
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
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