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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
13.0
19.0
写入速度,GB/s
8.0
13.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
3331
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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