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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.0
17.7
写入速度,GB/s
8.0
15.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
3772
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
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