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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Kingston 9905625-152.A00G 16GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.0
15.4
写入速度,GB/s
8.0
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2919
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
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