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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Kingston 9905701-011.A00G 16GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.0
17.4
写入速度,GB/s
8.0
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
3205
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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