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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Kingston 9965684-005.A00G 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
差异
规格
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.0
14.9
写入速度,GB/s
8.0
9.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2652
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB RAM的比较
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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