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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
13.0
15.4
写入速度,GB/s
8.0
11.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2713
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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