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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
13
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.0
14.8
写入速度,GB/s
8.0
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2014
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
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