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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.0
15.9
写入速度,GB/s
8.0
12.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2910
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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