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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
78
左右 65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
13
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
78
读取速度,GB/s
13.0
13.1
写入速度,GB/s
8.0
6.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
1584
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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