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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
64
左右 58% 更低的延时
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
64
读取速度,GB/s
13.0
17.0
写入速度,GB/s
8.0
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2103
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
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